Gases eletrônicos de alta pureza utilizados em MOCVD, epitaxia, deposição e processamento de semicondutores. Disponíveis em opções de embalagem padrão da indústria, com documentação completa e controle de qualidade.

Materiais e fontes que suportam o crescimento epitaxial para fotônica, eletrônica de alta frequência e dispositivos infravermelhos. Inclui compostos e precursores usados em sistemas de materiais III-V, como GaAs, GaN, InP e estruturas relacionadas.

Metais e compostos confiáveis e de alta estabilidade, adequados para processos de epitaxia por feixe molecular. Projetados para dar suporte ao crescimento de wafers III-V, desenvolvimento fotônico e fabricação comercial de semicondutores.

Precursores de gálio, índio e outros metais orgânicos projetados para produção MOCVD de alta eficiência. Fabricados com rigorosos controles de pureza para apoiar a fabricação de dispositivos optoeletrônicos e de alta frequência.

Uma seleção de precursores de óxido, haleto e elementares projetados para vaporização consistente, fornecimento estável e compatibilidade com processos de epitaxia e película fina.

Componentes PBN termicamente estáveis para cadinhos MBE, susceptores e conjuntos de aquecedores. Usinados com tolerâncias rigorosas para garantir controle uniforme da temperatura e repetibilidade do processo.

Wafers e substratos de nível comercial que suportam o desenvolvimento de semicondutores III-V. Inclui substratos GaAs e InP para aplicações fotônicas, sensores e eletrônicas avançadas.