Fontes de MBE
A Vital Materials fornece uma gama abrangente de metais e compostos de alta pureza projetados para epitaxia por feixe molecular (MBE) e crescimento de cristais em massa. Nossas fontes de MBE atendem a rigorosos requisitos de pureza e estabilidade para aplicações em semicondutores compostos e fotônica. Com recursos de refino e purificação verticalmente integrados, fornecemos metais e compostos de grau +5N usados para crescimento epitaxial, revestimento a vácuo, evaporação térmica e crescimento de cristais em massa.
A Vital Materials oferece suporte à fabricação avançada por MBE para sistemas GaAs, InP, InSb, GaSb, CdTe e CdZnTe, fornecendo materiais de origem padrão e configurações personalizadas para ambientes de pesquisa e produção.
Principais produtos
Alumínio (Al)
Pureza
- 99,99999% (7N)
Aplicações
- Composto de nitreto de alumínio, barreira de banda larga III-V para optoeletrônica, dopante do tipo p para silício.
Características
- Comportamento de evaporação estável em condições UHV
- Disponível em barras e lingotes
Arsênico (As)
Pureza
- 99,99995% (7N5)
Aplicações
- Materiais à base de GaAs e InAs
- Dopante do tipo N para germânio e silício
- Dopante do tipo P em II-VI materials
- Vidro calcogeneto
Características
- Pressão de vapor consistente e baixa contaminação
- Fornecido em pedaços, blocos ou lingotes em cadinhos pré-carregados para sistemas MBE
- Fabricação em grande volume.
Boro (B) e óxido de boro (B₂O₃)
Pureza
- 99,999% (5N) e acima
Aplicações
- Dopante do tipo P para semicondutores de silício
- Reatores nucleares
- Encapsulante para crescimento de cristais
Características
- Tamanho de partícula altamente controlado
- Fabricante de grande volume
Berílio (Be)
Pureza
- 99,99% (4N)
Aplicações
- Dopante do tipo P para III–V
- Comumente usado como dopante aceitador para a fabricação de dispositivos a laser e infravermelhos.
Características
- Vaporização uniforme e baixas impurezas de fundo
- Entregue em peças para células de efusão
Gálio (Ga) e compostos de gálio
Pureza
- 99,999999% (8N)
Aplicações
- Materiais à base de GaAs, GaN e GaSb
- Ga com banda larga2O3
- GaCl3 Síntese
- Utilizado em lasers de alto desempenho, LEDs e células solares
Formulários disponíveis
- Gálio metálico (líquido)
- Óxido de gálio (Ga₂O₃)
- Telureto de gálio (Ga₂Te₃)
- Podemos oferecer GaAs policristalino para uso em crescimento monocristalino..
Características
- Baixo teor de oxigênio
- Excelente uniformidade para crescimento epitaxial
- Fabricante de grande volume
Fósforo vermelho (P)
Pureza
- 99,9999% (6N)
Aplicações
- Material de origem para semicondutores de fosfeto de índio (InP) e fosfeto de gálio (GaP)
- Dopante do tipo N
Características
- Alta pureza e fornecimento estável de vapor
- Pequenas peças convenientes para maximizar a carga em um cadinho
- Fabricante de grande volume
Índio (In) e compostos de índio
Pureza
- 99,999995% (7N5)
Aplicações
- Fonte do Grupo III para o crescimento de cristais MBE de InP, InGaAs e InSb
- InP e InSb crescimento de cristais em massa
- Fonte de dopagem e matéria-prima para a produção de alvos de ITO
- Dopante do tipo N para material II-VIterials
Formulários disponíveis
- Índio metálico (tiros, lingotes)
- Tricloreto de índio (InCl₃)
- InP e InSb materiais policristalinos
Características
- Contaminação ultrabaixa por oxigênio e carbono
- Estável em operações prolongadas
- Fabricante de grande volume
Antimônio (Sb)
Pureza
- 99,999995% (7N5)
Aplicações
- Material de origem para semicondutores compostos III-V, tais como GaSb e InSb
- Utilizado em materiais infravermelhos e como dopante para cristais únicos de silício do tipo N.
- Material de origem para o crescimento de cristais em massa de InSb e GaSb
Características
- Integração vertical para materiais à base de antimônio .
Cádmio (Cd), CdTe e CdZnTe
Pureza
- 99,99999% (7N)
Aplicações
- Material de origem para II–VI , como o CdTe, CdZnTe e HgCdTe
- Material de origem para o crescimento de cristais em massa de CdTe e CdZnTe
- Substratos IR, detectores de radiação, moduladores
Características
- Integração vertical para IR e detectores de radiação
- Fabricante de grande volume
Zinco (Zn) e CdZnTe
Pureza
- 99,99999% (7N)
Aplicações
- Material de origem para II–VI , como ZnTe, CdZnTe
- Material de origem para o crescimento de cristais em massa e CdZnTe
- Substratos IR e detectores de radiação
Características
- Integração vertical para detectores de infravermelho e radiação
Telúrio (Te), ZnTe e CdZnTe
Pureza
- 99,99999% (7N)
Aplicações
- Material de origem para II–VI , como CdTe, CdZnTe
- Material de origem para o crescimento de cristais em massa e CdTe, ZnTe e CdZnTe
- Substratos IR, radiação detectores e moduladores
- Dopante do tipo N para semicondutores III-V
Características
- Integração vertical para detectores de infravermelho e radiação
- Fabricante de grande volume
Qualidade e Controle
Os metais de grau MBE da Vital Materials são refinados usando técnicas de fusão por zona, destilação e purificação química a vapor para atingir pureza ultra-alta. Cada lote é analisado com ICP-MS, GDMS e análise de gás residual (RGA) para garantir níveis de impurezas residuais abaixo dos padrões da indústria.
Os produtos são embalados em atmosfera inerte em recipientes selados a vácuo para manter a integridade durante o transporte e o armazenamento. Os certificados de análise (COA) são fornecidos com cada remessa.
Sustentabilidade e segurança
Todos os materiais de origem MBE são produzidos de acordo com as normas ISO 9001 e ISO 14001. A Vital Materials emprega sistemas avançados de recuperação e reciclagem de metais e subprodutos, apoiando a fabricação circular e a gestão ambiental em toda a cadeia de fornecimento de semicondutores.
Por que materiais vitais
- A mais alta pureza disponível para aplicações epitaxiais
- Integração vertical, desde metais de baixa pureza até serviços internos de epitaxia
- Fornecimento consistente e suporte técnico para usuários globais do MBE
- Composições personalizadas e embalagens sob medida disponíveis
- Confiabilidade comprovada nas indústrias de semicondutores, optoeletrônica e fotovoltaica