Fontes orgânicas de metais
A Vital Materials fornece um portfólio completo de precursores metalorgânicos de alta pureza utilizados nas indústrias de semicondutores compostos, LED, eletrônica de potência e fotônica. Esses materiais suportam processos MOCVD, ALD e CVD para aplicações de semicondutores III-V, II-VI e outras aplicações avançadas de semicondutores.
Nossos precursores MO são fabricados com rigoroso controle de pureza, garantindo comportamento de vaporização consistente, entrega estável e desempenho confiável em ambientes de epitaxia de alto volume.
Trimetilalumínio (TMAl)
Fórmula química
- Al(CH₃)₃
Pureza
- 99,9999% (6N)
Aplicações
- Um precursor fundamental para processos ALD/CVD/MOCVD utilizados para depositar filmes contendo alumínio, tais como AlN, Al₂O₃ e dielétricos high-k. O TMAl é amplamente utilizado em LEDs, dispositivos de potência, camadas de passivação de semicondutores e como catalisador na síntese orgânica.
Características
- Alta estabilidade térmica e pressão de vapor previsível
- Excelente compatibilidade com os modernos sistemas ALD/MOCVD
- Adequado para deposição de película de alta uniformidade
Trimetilgálio (TMGa)
Fórmula química
- Ga(CH₃)₃
Pureza
- 99,9999% (6N)
Aplicações
- Utilizado como precursor de gálio em MOCVD/CVD para o crescimento de GaN, GaAs, GaInN, GaInAs e outros materiais semicondutores III-V. Essencial para LEDs de alto brilho, diodos laser, microLEDs e dispositivos GaN de alta potência/alta frequência.
Características
- Entrega estável para epitaxia uniforme
- Adequado para a fabricação em grande volume de dispositivos LED e de energia
- Perfil de impurezas altamente controlado para aplicações optoeletrônicas
Trietilgálio (TEGa)
Fórmula química
- Ga(C₂H₅)₃
Pureza
- 99,999% (5N)
Aplicações
- Atua como precursor de gálio para MOCVD e epitaxia por feixe químico (CBE). Permite o crescimento de materiais optoeletrônicos, dispositivos de infravermelho médio e filmes finos III-V contendo Ga.
Características
- Alternativa com menor pressão de vapor ao TMGa
- Ideal para condições específicas de epitaxia que exigem volatilidade personalizada
- Excelente uniformidade do filme
Trimetilíndio (TMIn)
Fórmula química
- In(CH₃)₃
Pureza
- 99,999% (5N)
Aplicações
- Utilizado para o crescimento MOCVD de filmes contendo In, incluindo InN, InP, InGaN, InGaAs e estruturas de poços quânticos. Comum em lasers, dispositivos infravermelhos e LEDs de alto desempenho.
Características
- Comportamento consistente do vapor para controle preciso da composição
- Adequado para epitaxia rica em In que requer reatividade a baixa temperatura
- Grau de alta pureza atende aos requisitos dos dispositivos optoeletrônicos
Bis(metilciclopentadienil) magnésio (MeCp₂Mg)
Fórmula química
- C₁₁H₁₆Mg
Pureza
- 99,999% (5N)
Aplicações
- Um precursor dopante do tipo p amplamente utilizado para o crescimento de GaN, AlGaN e materiais III-V relacionados na fabricação de LEDs e eletrônicos de potência.
Características
- Desempenho estável em amplas faixas de temperatura
- Fornecimento consistente de vapor para dopagem de alta uniformidade
- Fonte preferencial de dopante de magnésio para MOCVD
Bis(ciclopentadienil) magnésio
Fórmula química
- Mg(C₅H₅)₂
Pureza
- 99,999% (5N)
Aplicações
- Utilizado como reagente dopante para fósforos LED, bem como na síntese organometálica e no desenvolvimento avançado de materiais semicondutores.
Características
- Fornecimento confiável de vapor
- Adequado para aplicações especiais de dopagem
Tricloreto de gálio (GaCl₃)
Pureza
- 99,999% (5N)
Aplicações
- Serve como fonte de gálio para materiais semicondutores, síntese organometálica e processos selecionados de células solares. Utilizado como catalisador em reações orgânicas e como precursor de determinados compostos à base de gálio.
Características
- Alta pureza para processos químicos sensíveis
- Reatividade estável e consistente em ambientes de síntese