A Vital Materials planeja investir 2 bilhões de RMB (aproximadamente US$ 300 milhões) em uma nova unidade de produção de wafers de fosfeto de índio (InP) e arsenieto de gálio (GaAs) em Quzhou, Zhejiang, na China.

Operada pela Vital Micro-Electronics Technologies (Zhejiang) Co., Ltd, a unidade deverá ter uma capacidade de produção anual de 6 milhões de wafers nos tamanhos de 4 a 6 polegadas. A construção deve começar em agosto de 2026 e está prevista para levar aproximadamente três anos.

O projeto reflete o investimento contínuo na fabricação de semicondutores compostos para atender à crescente demanda por comunicações ópticas, aplicações relacionadas à IA e transmissão de dados em alta velocidade.