Gases eletrónicos de alta pureza utilizados em MOCVD, epitaxia, deposição e processamento de semicondutores. Disponíveis em opções de embalagem padrão da indústria, com documentação completa e controlo de qualidade.

Materiais e fontes que suportam o crescimento epitaxial para fotónica, eletrónica de alta frequência e dispositivos infravermelhos. Inclui compostos e precursores utilizados em sistemas de materiais III-V, tais como GaAs, GaN, InP e estruturas relacionadas.

Metais e compostos confiáveis e de alta estabilidade, adequados para processos de epitaxia por feixe molecular. Projetados para dar suporte ao crescimento de wafers III-V, desenvolvimento fotónico e fabricação comercial de semicondutores.

Gálio, índio e outros precursores metalorgânicos concebidos para a produção de MOCVD de alta eficiência. Fabricados sob rigorosos controlos de pureza para apoiar a fabricação de dispositivos optoeletrónicos e de alta frequência.

Uma seleção de precursores de óxido, halogeneto e elementares projetados para vaporização consistente, fornecimento estável e compatibilidade com processos de epitaxia e película fina.

Componentes PBN termicamente estáveis para cadinhos MBE, susceptores e conjuntos de aquecedores. Usinados com tolerâncias rigorosas para garantir um controlo de temperatura uniforme e repetibilidade do processo.

Wafers e substratos de nível comercial que suportam o desenvolvimento de semicondutores III-V. Inclui substratos GaAs e InP para aplicações fotónicas, sensoriais e eletrónicas avançadas.