Precursores
Os precursores são compostos intermediários utilizados na síntese ou preparação de materiais avançados. No processo de fabrico de semicondutores, servem como materiais-fonte essenciais para a formação de películas finas e revestimentos funcionais durante processos de deposição de vapor, tais como CVD, ALD e PVD.
A Vital Materials oferece um amplo portfólio de precursores de alta pureza para deposição de película fina, crescimento epitaxial, gravação, dopagem e limpeza. Os nossos produtos são projetados para oferecer estabilidade térmica superior, volatilidade controlada e composição consistente da película, suportando aplicações em dispositivos lógicos e de memória, semicondutores de potência, LEDs e fotovoltaicos.
Principais produtos
Dicloreto de dióxido de molibdénio (MoO₂Cl₂)
Pureza
- 99,999% (5N)
Aplicações
- Utilizado como precursor de revestimento chave para a deposição de películas finas à base de molibdénio em microeletrónica e revestimentos óticos.
Características
- Excelente uniformidade e aderência do filme
- Fornecimento estável de vapor
- Adequado para aplicações ALD e CVD
Tetracloreto de háfnio (HfCl₄)
Pureza
- Graus 99,9999% (6N) e 99,999% (5N) disponíveis
Aplicações
- Precursor de película dielétrica de alta constante dielétrica em processos ALD/CVD para circuitos integrados avançados
- Matéria-prima para síntese de catalisador organo-hafnium
Características
- Tamanho controlado das partículas e baixa sensibilidade à humidade
- Permite a formação de filmes finos de HfO₂ e HfSiO com excelentes propriedades dielétricas
Bis(dietilamino)silano (BDEAS)
Fórmula química
- SiH₂[N(C₂H₅)₂]₂
Pureza
- 99,999% (5N) e 99,9999% (6N)
Aplicações
- Precursor para deposição de película fina à base de silício através de ALD ou CVD
- Utilizado para o crescimento de filmes conformados de SiNₓ e SiO₂ na fabricação de semicondutores e ecrãs
Características
- Excelente estabilidade térmica e reatividade
- Contaminação reduzida por carbono
Tetrakis(metiletilamino)hafnium (TEMAH)
Pureza
- 99,999% (5N)
Aplicações
- Precursor ALD e CVD para filmes dielétricos contendo háfnio
- Síntese de catalisadores para compostos organometálicos de háfnio
Características
- Morfologia suave do filme e baixa densidade de defeitos
- Ideal para a formação de camadas HfO₂ high-k em dispositivos lógicos e DRAM
Tetrakis(metiletilamino)zircónio (TEMAZ)
Pureza
- 99,999% (5N)
Aplicações
- Precursor ALD e CVD para filmes finos à base de zircónio
- Precursor de catalisador para materiais organozircónio
Características
- Deposição uniforme e controlo preciso da espessura do filme
- Alta volatilidade e formação mínima de resíduos
Ortossilicato de tetraetilo (TEOS)
Fórmula química
- Si(OC₂H₅)₄
Pureza
- 99,999% (5N)
Aplicações
- Precursor amplamente utilizado para a formação de filmes de SiO₂ em CVD e ALD
- Aplicado na passivação de semicondutores e na deposição dielétrica entre camadas
Características
- Pressão de vapor estável e reatividade controlada
- Produz camadas de óxido densas e de alta qualidade
Pentacloreto de molibdénio (MoCl₅)
Pureza
- 99,999% (5N)
Aplicações
- Utilizado como catalisador de cloração e na síntese de hexacarbonilo de molibdénio e outros compostos organometálicos.
Características
- Elevada atividade química
- Adequado para a fabricação de catalisadores e precursores de filmes finos
Tetrametilsilano (4MS)
Fórmula química
- Si(CH₃)₄Pureza: 99,999% (5N)
Aplicações
- Precursor ALD/CVD para filmes finos de silício
- Utilizado como reagente em química analítica e como padrão de calibração em espectroscopia de RMN.
Características
- Alta volatilidade e baixa reatividade à temperatura ambiente
- Excelente compatibilidade do processo para a formação de película de silício
Precursor de Mao-Hafnium (Mao-Haf)
Tipo
- Precursor avançado de organo-hafnium (fórmula patenteada)
Aplicações
- Projetado para a próxima geração de dielétricos de porta high-k e deposição de filmes de óxido metálico
- Otimizado para processos ALD na fabricação de semicondutores e monitores
Características
- Alta volatilidade com controlo preciso da entrega
- Maior uniformidade do filme e suavidade da interface
- Estável a baixas temperaturas com prazo de validade prolongado
Isopropoxido de etil zinco (EtZnOiPr)
Pureza
- 99,999% (5N)
Aplicações
- Fonte de zinco para processos CVD e ALD em optoeletrónica e fabricação de semicondutores
- Intermediário para síntese de organozinco
Características
- Comportamento do vapor altamente reativo, mas controlável
- Produz filmes uniformes de ZnO com excelentes propriedades elétricas
Aplicações
- Deposição de película fina ALD/CVD/PVD
- Crescimento de camada epitaxial para pastilhas semicondutoras
- Processos de dopagem e implantação de iões
- Formação de camadas dielétricas de óxido e nitreto
- Fabricação de dielétricos de porta de alta constante dielétrica
- Revestimentos avançados para telas e fotovoltaicos
Qualidade e segurança
Todos os precursores da Vital Materials são sintetizados e purificados em ambientes controlados para garantir pureza ultra-alta e desempenho estável do vapor. Cada produto é enviado em recipientes cheios de gás inerte com monitoramento de umidade e oxigénio.
As instalações de produção são certificadas pelas normas ISO 9001 e ISO 14001, garantindo total rastreabilidade, qualidade consistente e responsabilidade ambiental. Cada remessa inclui um Certificado de Análise (COA) e uma Ficha de Dados de Segurança de Materiais (MSDS).
Compromisso com a sustentabilidade
Materiais vitais
A Vital Materials enfatiza a produção e o manuseamento responsáveis de todos os materiais precursores. Através de sistemas avançados de purificação, captura de gases residuais e recuperação de subprodutos, garantimos a proteção ambiental e a utilização circular dos recursos.
As nossas operações globais seguem os princípios ESG, priorizando a segurança, a sustentabilidade e a transparência em toda a cadeia de abastecimento de semicondutores.
