Fuentes metálicas orgánicas
Vital Materials suministra una gama completa de precursores metalorgánicos de alta pureza utilizados en las industrias de semiconductores compuestos, LED, electrónica de potencia y fotónica. Estos materiales son compatibles con los procesos MOCVD, ALD y CVD para aplicaciones de semiconductores avanzados III-V, II-VI y otros.
Nuestros precursores MO se fabrican con un estricto control de pureza, lo que garantiza un comportamiento de vaporización constante, un suministro estable y un rendimiento fiable en entornos de epitaxia de gran volumen.
Trimetilaluminio (TMAl)
Fórmula química
- Al(CH₃)₃
Pureza
- 99,9999 % (6N)
Aplicaciones
- Un precursor clave para los procesos ALD/CVD/MOCVD utilizados para depositar películas que contienen aluminio, como AlN, Al₂O₃ y dieléctricos de alta constante dieléctrica. El TMAl se utiliza ampliamente en LED, dispositivos de potencia, capas de pasivación de semiconductores y como catalizador en la síntesis orgánica.
Características
- Alta estabilidad térmica y presión de vapor predecible.
- Excelente compatibilidad con los modernos sistemas ALD/MOCVD.
- Adecuado para la deposición de películas de alta uniformidad.
Trimetilgalio (TMGa)
Fórmula química
- Ga(CH₃)₃
Pureza
- 99,9999 % (6N)
Aplicaciones
- Se utiliza como precursor del galio en MOCVD/CVD para el crecimiento de GaN, GaAs, GaInN, GaInAs y otros materiales semiconductores III-V. Esencial para LED de alta luminosidad, diodos láser, microLED y dispositivos GaN de alta potencia/alta frecuencia.
Características
- Entrega estable para una epitaxia uniforme
- Adecuado para la fabricación de dispositivos LED y de potencia de gran volumen.
- Perfil de impurezas altamente controlado para aplicaciones optoelectrónicas.
Trietilgalio (TEGa)
Fórmula química
- Ga(C₂H₅)₃
Pureza
- 99,999 % (5N)
Aplicaciones
- Sirve como precursor de galio para MOCVD y epitaxia por haz químico (CBE). Permite el crecimiento de materiales optoelectrónicos, dispositivos de infrarrojo medio y películas delgadas III-V que contienen Ga.
Características
- Alternativa al TMGa con menor presión de vapor.
- Ideal para condiciones de epitaxia selectas que requieren volatilidad personalizada.
- Excelente uniformidad de la película
Trimetilindio (TMIn)
Fórmula química
- En (CH₃)₃
Pureza
- 99,999 % (5N)
Aplicaciones
- Se utiliza para el crecimiento MOCVD de películas que contienen In, incluyendo InN, InP, InGaN, InGaAs y estructuras de pozo cuántico. Es común en láseres, dispositivos infrarrojos y LED de alto rendimiento.
Características
- Comportamiento constante del vapor para un control preciso de la composición.
- Adecuado para epitaxia rica en In que requiere reactividad a baja temperatura.
- El grado de alta pureza cumple con los requisitos de los dispositivos optoelectrónicos.
Bis(metilciclopentadienil) magnesio (MeCp₂Mg)
Fórmula química
- C₁₁H₁₆Mg
Pureza
- 99,999 % (5N)
Aplicaciones
- Precursor dopante de tipo p ampliamente utilizado para el crecimiento de GaN, AlGaN y materiales III-V relacionados en la fabricación de LED y electrónica de potencia.
Características
- Rendimiento estable en amplios rangos de temperatura
- Suministro constante de vapor para un dopaje de alta uniformidad.
- Fuente preferida de dopante de magnesio para MOCVD
Bis(ciclopentadienilo) magnesio
Fórmula química
- Mg(C₅H₅)₂
Pureza
- 99,999 % (5N)
Aplicaciones
- Se utiliza como reactivo dopante para fósforos LED, así como en síntesis organometálica y desarrollo avanzado de materiales semiconductores.
Características
- Suministro fiable de vapor
- Adecuado para aplicaciones especiales de dopaje.
Tricloruro de galio (GaCl₃)
Pureza
- 99,999 % (5N)
Aplicaciones
- Sirve como fuente de galio para materiales semiconductores, síntesis organometálica y determinados procesos de células solares. Se utiliza como catalizador en reacciones orgánicas y como precursor de ciertos compuestos basados en galio.
Características
- Alta pureza para procesos químicos sensibles
- Reactividad estable y consistente en entornos de síntesis.