Fuentes MBE
Vital Materials suministra una amplia gama de metales y compuestos de alta pureza diseñados para la epitaxia por haz molecular (MBE) y el crecimiento de cristales a granel. Nuestras fuentes MBE cumplen con los estrictos requisitos de pureza y estabilidad para aplicaciones de semiconductores compuestos y fotónica. Con capacidades de refinado y purificación integradas verticalmente, suministramos metales y compuestos de grado +5N utilizados para el crecimiento epitaxial, el recubrimiento al vacío, la evaporación térmica y el crecimiento de cristales a granel.
Vital Materials es compatible con la fabricación avanzada de MBE para sistemas de GaAs, InP, InSb, GaSb, CdTe y CdZnTe, y ofrece materiales de origen estándar y configuraciones personalizadas para entornos de investigación y producción.
Productos clave
Aluminio (Al)
Pureza
- 99,99999 % (7N)
Aplicaciones
- Compuesto de nitruro de aluminio, amplia barrera de banda prohibida III-V para optoelectrónica, dopante de tipo p para silicio.
Características
- Comportamiento de evaporación estable en condiciones de ultra alto vacío (UHV).
- Disponible en barras y lingotes.
Arsénico (As)
Pureza
- 99,99995 % (7N5)
Aplicaciones
- Materiales basados en GaAs e InAs
- Dopante de tipo N para germanio y silicio
- Dopante de tipo P en II-VI materials
- Vidrio de calcogenuro
Características
- Presión de vapor constante y baja contaminación.
- Se suministran en forma de trozos, fragmentos o lingotes en crisoles precargados para sistemas MBE.
- Fabricación en serie.
Boro (B) y óxido de boro (B₂O₃)
Pureza
- 99,999 % (5N) y superior
Aplicaciones
- Dopante de tipo P para semiconductores de silicio
- Reactores nucleares
- Encapsulante para el crecimiento de cristales
Características
- Tamaño de partícula altamente controlado
- Fabricante de gran volumen
Berilio (Be)
Pureza
- 99,99 % (4N)
Aplicaciones
- Dopante de tipo P para III-V
- Se utiliza habitualmente como dopante aceptor para la fabricación de dispositivos láser e infrarrojos.
Características
- Vaporización uniforme y bajas impurezas de fondo.
- Entregado en piezas para celdas de efusión.
Galio (Ga) y compuestos de galio
Pureza
- 99,999999 % (8N)
Aplicaciones
- Materiales basados en GaAs, GaN y GaSb.
- Ga de banda ancha2O3
- GaCl3 síntesis
- Se utiliza en láseres de alto rendimiento, LED y células solares.
Formularios disponibles
- Galio metálico (líquido)
- Óxido de galio (Ga₂O₃)
- Telururo de galio (Ga₂Te₃)
- Podemos ofrecer GaAs policristalino para su uso en el crecimiento de cristales únicos.
Características
- Bajo contenido de oxígeno
- Excelente uniformidad para el crecimiento epitaxial.
- Fabricante de gran volumen
Fósforo rojo (P)
Pureza
- 99,9999 % (6N)
Aplicaciones
- Material de partida para semiconductores de fosfuro de indio (InP) y fosfuro de galio (GaP)
- Dopante de tipo N
Características
- Alta pureza y suministro estable de vapor
- Piezas pequeñas y prácticas para maximizar la carga en un crisol
- Fabricante de gran volumen
Indio (In) y compuestos de indio
Pureza
- 99,999995 % (7N5)
Aplicaciones
- Fuente del grupo III para el crecimiento de cristales MBE de InP, InGaAs e InSb.
- InP e InSb crecimiento de cristales masivos
- Fuente de dopaje y materia prima para la producción de ITO.
- Dopante de tipo N para material II-VIterials
Formularios disponibles
- Indio metálico (disparos, lingotes)
- Tricloruro de indio (InCl₃)
- InP e InSb policristalinos
Características
- Contaminación ultrabaja por oxígeno y carbono
- Estable en funcionamiento prolongado
- Fabricante de gran volumen
Antimonio (Sb)
Pureza
- 99,999995 % (7N5)
Aplicaciones
- Materiales de partida para semiconductores compuestos III-V, tales como GaSb e InSb.
- Se utiliza en materiales infrarrojos y como dopante para monocristales de silicio de tipo N.
- Material de partida para el crecimiento de cristales a granel de InSb y GaSb
Características
- Integración vertical para materiales basados en antimoniuro .
Cadmio (Cd), CdTe y CdZnTe
Pureza
- 99,99999 % (7N)
Aplicaciones
- Material de referencia para II–VI , como el CdTe, CdZnTe y HgCdTe
- Material de partida para el crecimiento de cristales a granel de CdTe y CdZnTe
- Sustratos IR, detectores de radiación, moduladores
Características
- Integración vertical para IR y detectores de radiación.
- Fabricante de gran volumen
Zinc (Zn) y CdZnTe
Pureza
- 99,99999 % (7N)
Aplicaciones
- Material de referencia para II–VI , como los ZnTe, CdZnTe
- Material de partida para el crecimiento de cristales a granel y CdZnTe
- Sustratos IR y detectores de radiación
Características
- Integración vertical para detectores de infrarrojos y radiación
Telurio (Te), ZnTe y CdZnTe
Pureza
- 99,99999 % (7N)
Aplicaciones
- Material de referencia para II–VI , como el CdTe, CdZnTe
- Material de partida para el crecimiento de cristales a granel y CdTe, ZnTe y CdZnTe
- Sustratos IR, radiación detectores y moduladores
- Dopante de tipo N para semiconductores III-V
Características
- Integración vertical para detectores de infrarrojos y radiación
- Fabricante de gran volumen
Calidad y control
Los metales de grado MBE de Vital Materials se refinan mediante técnicas de fusión por zonas, destilación y purificación química por vapor para alcanzar una pureza ultraalta. Cada lote se analiza con ICP-MS, GDMS y análisis de gases residuales (RGA) para garantizar que los niveles de impurezas traza estén por debajo de los estándares de la industria.
Los productos se envasan en atmósfera inerte en recipientes sellados al vacío para mantener su integridad durante el transporte y el almacenamiento. Se proporcionan certificados de análisis (COA) con cada envío.
Sostenibilidad y seguridad
Todos los materiales de origen MBE se producen de conformidad con las normas ISO 9001 e ISO 14001. Vital Materials emplea sistemas avanzados de recuperación y reciclaje de metales y subproductos, lo que favorece la fabricación circular y la gestión medioambiental en toda la cadena de suministro de semiconductores.
¿Por qué materiales vitales?
- La mayor pureza disponible para aplicaciones epitaxiales.
- Integración vertical desde metales de baja pureza hasta servicios internos de epitaxia.
- Suministro constante y asistencia técnica para los usuarios de MBE en todo el mundo.
- Composiciones personalizadas y envases a medida disponibles.
- Fiabilidad probada en las industrias de semiconductores, optoelectrónica y fotovoltaica.