Precursores
Los precursores son compuestos intermedios utilizados en la síntesis o preparación de materiales avanzados. En el proceso de fabricación de semiconductores, sirven como materiales clave para formar películas delgadas y recubrimientos funcionales durante los procesos de deposición de vapor, tales como CVD, ALD y PVD.
Vital Materials ofrece una amplia gama de precursores de alta pureza para la deposición de películas delgadas, el crecimiento epitaxial, el grabado, el dopaje y la limpieza. Nuestros productos están diseñados para ofrecer una estabilidad térmica superior, una volatilidad controlada y una composición de película consistente, lo que permite su uso en dispositivos lógicos y de memoria, semiconductores de potencia, LED y fotovoltaicos.
Productos clave
Dicloruro de dióxido de molibdeno (MoO₂Cl₂)
Pureza
- 99,999 % (5N)
Aplicaciones
- Se utiliza como precursor clave para el recubrimiento en la deposición de películas delgadas a base de molibdeno en microelectrónica y recubrimientos ópticos.
Características
- Excelente uniformidad y adherencia de la película.
- Suministro estable de vapor
- Adecuado para aplicaciones ALD y CVD.
Tetracloruro de hafnio (HfCl₄)
Pureza
- Grados disponibles: 99,9999 % (6N) y 99,999 % (5N).
Aplicaciones
- Precursor de película dieléctrica de alta constante dieléctrica en procesos ALD/CVD para circuitos integrados avanzados
- Materia prima para la síntesis de catalizadores organohafnium
Características
- Tamaño de partícula controlado y baja sensibilidad a la humedad.
- Permite la formación de películas delgadas de HfO₂ y HfSiO con excelentes propiedades dieléctricas.
Bis(dietilamino)silano (BDEAS)
Fórmula química
- SiH₂[N(C₂H₅)₂]₂
Pureza
- 99,999 % (5N) y 99,9999 % (6N)
Aplicaciones
- Precursor para la deposición de películas finas a base de silicio mediante ALD o CVD.
- Se utiliza para el crecimiento de películas conformadas de SiNₓ y SiO₂ en la fabricación de semiconductores y pantallas.
Características
- Excelente estabilidad térmica y reactividad.
- Reducción de la contaminación por carbono
Tetrakis(metiletilamino)hafnio (TEMAH)
Pureza
- 99,999 % (5N)
Aplicaciones
- Precursor de ALD y CVD para películas dieléctricas que contienen hafnio
- Síntesis de catalizadores para compuestos organometálicos de hafnio
Características
- Morfología de película lisa y baja densidad de defectos
- Ideal para la formación de capas HfO₂ de alta constante dieléctrica en dispositivos lógicos y DRAM.
Tetrakis(metiletilamino)circonio (TEMAZ)
Pureza
- 99,999 % (5N)
Aplicaciones
- Precursor de ALD y CVD para películas delgadas a base de circonio
- Precursor catalizador para materiales organozirconio
Características
- Deposición uniforme y control preciso del espesor de la película
- Alta volatilidad y mínima formación de residuos.
Orto-silicato de tetraetilo (TEOS)
Fórmula química
- Si(OC₂H₅)₄
Pureza
- 99,999 % (5N)
Aplicaciones
- Precursor ampliamente utilizado para la formación de películas de SiO₂ en CVD y ALD.
- Aplicado en la pasivación de semiconductores y la deposición dieléctrica entre capas.
Características
- Presión de vapor estable y reactividad controlada
- Produce capas de óxido densas y de alta calidad.
Pentacloruro de molibdeno (MoCl₅)
Pureza
- 99,999 % (5N)
Aplicaciones
- Se utiliza como catalizador de cloración y en la síntesis de hexacarbonilo de molibdeno y otros compuestos organometálicos.
Características
- Alta actividad química
- Adecuado para la fabricación de catalizadores y precursores de películas delgadas.
Tetrametilsilano (4MS)
Fórmula química
- Si(CH₃)₄ Pureza: 99,999 % (5N)
Aplicaciones
- Precursor ALD/CVD para películas delgadas de silicio
- Se utiliza como reactivo en química analítica y como patrón de calibración en espectroscopia RMN.
Características
- Alta volatilidad y baja reactividad a temperatura ambiente.
- Excelente compatibilidad de procesos para la formación de películas de silicio.
Precursor de Mao-Hafnio (Mao-Haf)
Tipo
- Precursor avanzado de organohafnio (fórmula patentada)
Aplicaciones
- Diseñado para la deposición de películas de óxido metálico y dieléctricos de puerta de alta constante dieléctrica de última generación.
- Optimizado para procesos ALD en la fabricación de semiconductores y pantallas.
Características
- Alta volatilidad con control preciso de la entrega
- Mayor uniformidad de la película y suavidad de la interfaz
- Estable a baja temperatura con una vida útil prolongada.
Isopropóxido de etilzinc (EtZnOiPr)
Pureza
- 99,999 % (5N)
Aplicaciones
- Fuente de zinc para procesos CVD y ALD en optoelectrónica y fabricación de semiconductores.
- Intermedio para la síntesis de organozinc
Características
- Comportamiento del vapor altamente reactivo pero controlable.
- Produce películas uniformes de ZnO con excelentes propiedades eléctricas.
Aplicaciones
- Deposición de películas delgadas ALD/CVD/PVD
- Crecimiento de capas epitaxiales para obleas semiconductoras
- Procesos de dopaje e implantación iónica
- Formación de capas dieléctricas de óxido y nitruro
- Fabricación de dieléctricos de puerta de alta constante dieléctrica
- Revestimientos avanzados para pantallas y fotovoltaicos
Calidad y seguridad
Todos los precursores de Vital Materials se sintetizan y purifican en entornos controlados para garantizar una pureza ultraalta y un rendimiento de vapor estable. Cada producto se envía en contenedores llenos de gas inerte con control de humedad y oxígeno.
Las instalaciones de producción cuentan con las certificaciones ISO 9001 e ISO 14001, lo que garantiza la trazabilidad completa, la calidad constante y la responsabilidad medioambiental. Cada envío incluye un certificado de análisis (COA) y una ficha de datos de seguridad (MSDS).
Compromiso con la sostenibilidad
Materiales vitales
Vital Materials hace hincapié en la producción y manipulación responsables de todos los materiales precursores. Mediante sistemas avanzados de purificación, captura de gases residuales y recuperación de subproductos, garantizamos la protección del medio ambiente y la utilización circular de los recursos.
Nuestras operaciones globales siguen los principios ESG, dando prioridad a la seguridad, la sostenibilidad y la transparencia en toda la cadena de suministro de semiconductores.
