Gases electrónicos de alta pureza utilizados en MOCVD, epitaxia, deposición y procesamiento de semiconductores. Disponibles en opciones de envases estándar de la industria con documentación completa y control de calidad.

Materiales y fuentes que favorecen el crecimiento epitaxial para dispositivos fotónicos, electrónicos de alta frecuencia e infrarrojos. Incluye compuestos y precursores utilizados en sistemas de materiales III-V, como GaAs, GaN, InP y estructuras relacionadas.

Metales y compuestos fiables y de alta estabilidad adecuados para procesos de epitaxia por haz molecular. Diseñados para soportar el crecimiento de obleas III-V, el desarrollo fotónico y la fabricación comercial de semiconductores.

Precursores de galio, indio y otros metales orgánicos diseñados para la producción MOCVD de alta eficiencia. Fabricados con estrictos controles de pureza para respaldar la fabricación de dispositivos optoelectrónicos y de alta frecuencia.

Una selección de precursores de óxido, haluro y elementales diseñados para una vaporización constante, un suministro estable y compatibilidad con procesos de epitaxia y película delgada.

Componentes de PBN térmicamente estables para crisoles MBE, susceptores y conjuntos calefactores. Mecanizados con tolerancias estrictas para garantizar un control uniforme de la temperatura y la repetibilidad del proceso.

Obleas y sustratos de calidad comercial que admiten el desarrollo de semiconductores III-V. Incluye sustratos de GaAs e InP para aplicaciones fotónicas, de detección y electrónicas avanzadas.