Gaz électroniques de haute pureté utilisés dans les procédés MOCVD, épitaxie, dépôt et traitement des semi-conducteurs. Disponibles dans des conditionnements conformes aux normes industrielles, avec documentation complète et contrôle qualité.

Matériaux et sources favorisant la croissance épitaxiale pour la photonique, l'électronique haute fréquence et les dispositifs infrarouges. Comprend les composés et précurseurs utilisés dans les systèmes de matériaux III-V tels que GaAs, GaN, InP et les structures associées.

Métaux et composés fiables et hautement stables adaptés aux processus d'épitaxie par faisceau moléculaire. Conçus pour soutenir la croissance des plaquettes III-V, le développement photonique et la fabrication commerciale de semi-conducteurs.

Précurseurs organométalliques à base de gallium, d'indium et d'autres métaux, conçus pour une production MOCVD à haut rendement. Fabriqués selon des contrôles de pureté rigoureux afin de permettre la fabrication de dispositifs optoélectroniques et haute fréquence.

Une sélection de précurseurs d'oxydes, d'halogénures et d'éléments conçus pour une vaporisation constante, un apport stable et une compatibilité avec les processus d'épitaxie et de couches minces.

Composants en PBN thermiquement stables pour creusets MBE, suscepteurs et assemblages chauffants. Usinés selon des tolérances strictes afin de garantir un contrôle uniforme de la température et la répétabilité du processus.

Plaquettes et substrats de qualité commerciale destinés au développement des semi-conducteurs III-V. Comprend des substrats GaAs et InP pour les applications photoniques, de détection et électroniques avancées.