Métal Sources organiques
Vital Materials fournit une gamme complète de précurseurs métallo-organiques de haute pureté utilisés dans les industries des semi-conducteurs composés, des LED, de l'électronique de puissance et de la photonique. Ces matériaux prennent en charge les processus MOCVD, ALD et CVD pour les applications III-V, II-VI et autres applications avancées des semi-conducteurs.
Nos précurseurs MO sont fabriqués selon des contrôles de pureté stricts, garantissant un comportement de vaporisation constant, un approvisionnement stable et des performances fiables dans les environnements d'épitaxie à haut volume.
Triméthylaluminium (TMAl)
Formule chimique
- Al(CH₃)₃
Pureté
- 99,9999 % (6N)
Applications
- Un précurseur clé pour les procédés ALD/CVD/MOCVD utilisés pour déposer des films contenant de l'aluminium tels que l'AlN, l'Al₂O₃ et les diélectriques à haute constante diélectrique. Le TMAl est largement utilisé dans les LED, les dispositifs de puissance, les couches de passivation des semi-conducteurs et comme catalyseur dans la synthèse organique.
Caractéristiques
- Haute stabilité thermique et pression de vapeur prévisible
- Excellente compatibilité avec les systèmes ALD/MOCVD modernes
- Convient pour le dépôt de films à haute uniformité
Triméthylgallium (TMGa)
Formule chimique
- Ga(CH₃)₃
Pureté
- 99,9999 % (6N)
Applications
- Utilisé comme précurseur du gallium dans les procédés MOCVD/CVD pour la croissance du GaN, du GaAs, du GaInN, du GaInAs et d'autres matériaux semi-conducteurs III-V. Indispensable pour les LED haute luminosité, les diodes laser, les micro-LED et les dispositifs GaN haute puissance/haute fréquence.
Caractéristiques
- Livraison stable pour une épitaxie uniforme
- Convient à la fabrication de LED et de dispositifs de puissance à grand volume
- Profil d'impuretés hautement contrôlé pour les applications optoélectroniques
Triéthylgallium (TEGa)
Formule chimique
- Ga(C₂H₅)₃
Pureté
- 99,999 % (5N)
Applications
- Sert de précurseur du gallium pour la MOCVD et l'épitaxie par faisceau chimique (CBE). Permet la croissance de matériaux optoélectroniques, de dispositifs infrarouges moyens et de films minces III-V contenant du gallium.
Caractéristiques
- Alternative au TMGa à plus faible pression de vapeur
- Idéal pour certaines conditions d'épitaxie nécessitant une volatilité sur mesure
- Excellente uniformité du film
Triméthylindium (TMIn)
Formule chimique
- Dans (CH₃)₃
Pureté
- 99,999 % (5N)
Applications
- Utilisé pour la croissance MOCVD de films contenant de l'indium, notamment InN, InP, InGaN, InGaAs et les structures à puits quantiques. Couramment utilisé dans les lasers, les dispositifs infrarouges et les LED haute performance.
Caractéristiques
- Comportement constant de la vapeur pour un contrôle précis de la composition
- Convient à l'épitaxie riche en In nécessitant une réactivité à basse température
- La haute pureté répond aux exigences des dispositifs optoélectroniques
Bis(méthylcyclopentadiényl) magnésium (MeCp₂Mg)
Formule chimique
- C₁₁H₁₆Mg
Pureté
- 99,999 % (5N)
Applications
- Précurseur dopant de type p largement utilisé pour la croissance du GaN, de l'AlGaN et des matériaux III-V associés dans la fabrication de LED et de composants électroniques de puissance.
Caractéristiques
- Performances stables sur une large plage de températures
- Fourniture constante de vapeur pour un dopage hautement uniforme
- Source de dopant magnésium préférée pour MOCVD
Bis(cyclopentadiényl)magnésium
Formule chimique
- Mg(C₅H₅)₂
Pureté
- 99,999 % (5N)
Applications
- Utilisé comme réactif dopant pour les phosphores LED, ainsi que dans la synthèse organométallique et le développement de matériaux semi-conducteurs avancés.
Caractéristiques
- Diffusion fiable de la vapeur
- Convient aux applications spécialisées de dopage
Trichlorure de gallium (GaCl₃)
Pureté
- 99,999 % (5N)
Applications
- Sert de source de gallium pour les matériaux semi-conducteurs, la synthèse organométallique et certains processus de fabrication de cellules solaires. Utilisé comme catalyseur dans les réactions organiques et comme précurseur de certains composés à base de gallium.
Caractéristiques
- Haute pureté pour les processus chimiques sensibles
- Réactivité stable et constante dans les environnements de synthèse