Précurseurs
Les précurseurs sont des composés intermédiaires utilisés dans la synthèse ou la préparation de matériaux avancés. Dans le processus de fabrication des semi-conducteurs, ils servent de matières premières essentielles pour former des films minces et des revêtements fonctionnels lors des processus de dépôt en phase vapeur tels que le CVD, l'ALD et le PVD.
Vital Materials propose une large gamme de précurseurs de haute pureté destinés au dépôt de couches minces, à la croissance épitaxiale, à la gravure, au dopage et au nettoyage. Nos produits sont conçus pour offrir une stabilité thermique supérieure, une volatilité contrôlée et une composition de film homogène, et sont adaptés à des applications dans les dispositifs logiques et de mémoire, les semi-conducteurs de puissance, les LED et le photovoltaïque.
Produits phares
Dichlorure de dioxyde de molybdène (MoO₂Cl₂)
Pureté
- 99,999 % (5N)
Applications
- Utilisé comme précurseur de revêtement clé pour le dépôt de films minces à base de molybdène dans la microélectronique et les revêtements optiques.
Caractéristiques
- Excellente uniformité et adhérence du film
- Distribution stable de vapeur
- Convient aux applications ALD et CVD
Tétrachlorure d'hafnium (HfCl₄)
Pureté
- Qualités 99,9999 % (6N) et 99,999 % (5N) disponibles
Applications
- Précurseur de film diélectrique à constante diélectrique élevée dans les procédés ALD/CVD pour circuits intégrés avancés
- Matière première pour la synthèse de catalyseurs organo-hafnium
Caractéristiques
- Taille des particules contrôlée et faible sensibilité à l'humidité
- Permet la formation de films minces de HfO₂ et HfSiO présentant d'excellentes propriétés diélectriques.
Bis(diéthylamino)silane (BDEAS)
Formule chimique
- SiH₂[N(C₂H₅)₂]₂
Pureté
- 99,999 % (5N) et 99,9999 % (6N)
Applications
- Précurseur pour le dépôt de couches minces à base de silicium par ALD ou CVD
- Utilisé pour la croissance de films conformes de SiNₓ et SiO₂ dans la fabrication de semi-conducteurs et d'écrans.
Caractéristiques
- Excellente stabilité thermique et réactivité
- Réduction de la contamination par le carbone
Tétrakis(méthyléthylamino)hafnium (TEMAH)
Pureté
- 99,999 % (5N)
Applications
- Précurseur ALD et CVD pour films diélectriques contenant de l'hafnium
- Synthèse de catalyseurs pour composés organométalliques de hafnium
Caractéristiques
- Morphologie lisse du film et faible densité de défauts
- Idéal pour la formation de couches HfO₂ à constante diélectrique élevée dans les dispositifs logiques et DRAM
Tétrakis(méthyléthylamino)zirconium (TEMAZ)
Pureté
- 99,999 % (5N)
Applications
- Précurseur ALD et CVD pour films minces à base de zirconium
- Précurseur de catalyseur pour matériaux organozirconium
Caractéristiques
- Dépôt uniforme et contrôle précis de l'épaisseur du film
- Volatilité élevée et formation minimale de résidus
Orthosilicate de tétraéthyle (TEOS)
Formule chimique
- Si(OC₂H₅)₄
Pureté
- 99,999 % (5N)
Applications
- Précurseur largement utilisé pour la formation de films de SiO₂ dans les procédés CVD et ALD.
- Appliqué dans la passivation des semi-conducteurs et le dépôt diélectrique intercouche
Caractéristiques
- Pression de vapeur stable et réactivité contrôlée
- Produit des couches d'oxyde denses et de haute qualité
Pentachlorure de molybdène (MoCl₅)
Pureté
- 99,999 % (5N)
Applications
- Utilisé comme catalyseur de chloration et dans la synthèse de l'hexacarbonylmolybdène et d'autres composés organométalliques.
Caractéristiques
- Haute activité chimique
- Convient à la fabrication de catalyseurs et de précurseurs de couches minces
Tétraméthylsilane (4MS)
Formule chimique
- Si(CH₃)₄ Pureté : 99,999 % (5N)
Applications
- Précurseur ALD/CVD pour films minces de silicium
- Utilisé comme réactif en chimie analytique et comme étalon d'étalonnage en spectroscopie RMN.
Caractéristiques
- Haute volatilité et faible réactivité à température ambiante
- Excellente compatibilité avec les procédés de formation de films de silicium
Précurseur de Mao-Hafnium (Mao-Haf)
Type
- Précurseur organohafnium avancé (formule exclusive)
Applications
- Conçu pour le dépôt de films diélectriques à haute constante diélectrique et d'oxyde métallique de nouvelle génération
- Optimisé pour les processus ALD dans la fabrication de semi-conducteurs et d'écrans
Caractéristiques
- Haute volatilité avec contrôle précis de la distribution
- Amélioration de l'uniformité du film et de la douceur de l'interface
- Stable à basse température avec une durée de conservation prolongée
Isopropoxyde d'éthylzinc (EtZnOiPr)
Pureté
- 99,999 % (5N)
Applications
- Source de zinc pour les procédés CVD et ALD dans la fabrication de composants optoélectroniques et de semi-conducteurs
- Intermédiaire pour la synthèse d'organozinc
Caractéristiques
- Comportement de la vapeur hautement réactif mais contrôlable
- Produit des films de ZnO uniformes présentant d'excellentes propriétés électriques.
Applications
- Dépôt de couches minces ALD/CVD/PVD
- Croissance d'une couche épitaxiale pour plaquettes semi-conductrices
- Procédés de dopage et d'implantation ionique
- Formation d'une couche diélectrique d'oxyde et de nitrure
- Fabrication d'un diélectrique de grille à constante diélectrique élevée
- Revêtements avancés pour écrans et photovoltaïques
Qualité et sécurité
Tous les précurseurs Vital Materials sont synthétisés et purifiés dans des environnements contrôlés afin de garantir une pureté ultra-élevée et des performances de vaporisation stables. Chaque produit est expédié dans des conteneurs remplis de gaz inerte et équipés d'un système de surveillance de l'humidité et de l'oxygène.
Les installations de production sont certifiées ISO 9001 et ISO 14001, garantissant une traçabilité complète, une qualité constante et une responsabilité environnementale. Chaque expédition comprend un certificat d'analyse (COA) et une fiche de données de sécurité (FDS).
Engagement en faveur du développement durable
Matériaux vitaux
Vital Materials met l'accent sur la production et la manipulation responsables de tous les matériaux précurseurs. Grâce à des systèmes de purification avancés, à la capture des gaz résiduaires et à la récupération des sous-produits, nous garantissons la protection de l'environnement et l'utilisation circulaire des ressources.
Nos opérations mondiales respectent les principes ESG, en accordant la priorité à la sécurité, à la durabilité et à la transparence tout au long de la chaîne d'approvisionnement des semi-conducteurs.
