Vital Materials prévoit d'investir 2 milliards de RMB (environ 300 millions de dollars américains) dans une nouvelle usine de production de plaquettes de phosphure d'indium (InP) et d'arséniure de gallium (GaAs) à Quzhou, dans la province du Zhejiang, en Chine.

Exploitée par Vital Micro-Electronics Technologies (Zhejiang) Co., Ltd, cette usine devrait disposer d'une capacité de production annuelle de 6 millions de plaquettes de 4 à 6 pouces. Le début des travaux est prévu pour août 2026 et leur durée devrait être d'environ trois ans.

Ce projet témoigne d'un investissement continu dans la fabrication de semi-conducteurs composés afin de répondre à la demande croissante en matière de communications optiques, d'applications liées à l'intelligence artificielle et de transmission de données à haut débit.