Vital Materials tiene previsto invertir 2.000 millones de RMB (aproximadamente 300 millones de dólares estadounidenses) en una nueva planta de producción de obleas de fosfuro de indio (InP) y arseniuro de galio (GaAs) en Quzhou, Zhejiang (China).

La planta, gestionada por Vital Micro-Electronics Technologies (Zhejiang) Co., Ltd, tendrá una capacidad de producción anual prevista de 6 millones de obleas de entre 4 y 6 pulgadas. Se prevé que las obras comiencen en agosto de 2026 y que duren aproximadamente tres años.

El proyecto refleja la inversión continua en la fabricación de semiconductores compuestos para satisfacer la creciente demanda en el ámbito de las comunicaciones ópticas, las aplicaciones relacionadas con la inteligencia artificial y la transmisión de datos a alta velocidad.