Organische Quellen für Metalle
Vital Materials bietet ein umfassendes Portfolio an hochreinen metallorganischen Vorläufern, die in den Bereichen Verbindungshalbleiter, LED, Leistungselektronik und Photonik zum Einsatz kommen. Diese Materialien unterstützen MOCVD-, ALD- und CVD-Prozesse für III-V-, II-VI- und andere fortschrittliche Halbleiteranwendungen.
Unsere MO-Vorläufer werden unter strenger Reinheitskontrolle hergestellt, wodurch ein gleichmäßiges Verdampfungsverhalten, eine stabile Abgabe und eine zuverlässige Leistung in Epitaxie-Umgebungen mit hohem Volumen gewährleistet sind.
Trimethylaluminium (TMAl)
Chemische Formel
- Al(CH₃)₃
Reinheit
- 99,9999 % (6N)
Anwendungen
- Ein wichtiger Vorläufer für ALD/CVD/MOCVD-Prozesse, die zur Abscheidung von aluminiumhaltigen Schichten wie AlN, Al₂O₃ und High-k-Dielektrika verwendet werden. TMAl wird häufig in LEDs, Leistungsbauelementen, Passivierungsschichten für Halbleiter und als Katalysator in der organischen Synthese eingesetzt.
Funktionen
- Hohe thermische Stabilität und vorhersagbarer Dampfdruck
- Hervorragende Kompatibilität mit modernen ALD/MOCVD-Systemen
- Geeignet für hochgradig gleichmäßige Filmabscheidung
Trimethylgallium (TMGa)
Chemische Formel
- Ga(CH₃)₃
Reinheit
- 99,9999 % (6N)
Anwendungen
- Wird als Galliumvorläufer in MOCVD/CVD für das Wachstum von GaN, GaAs, GaInN, GaInAs und anderen III-V-Halbleitermaterialien verwendet. Unverzichtbar für hochhelle LEDs, Laserdioden, Micro-LEDs und leistungsstarke/hochfrequente GaN-Bauelemente.
Funktionen
- Stabile Lieferung für gleichmäßige Epitaxie
- Geeignet für die Herstellung von LED- und Leistungsbauelementen in großen Stückzahlen
- Streng kontrolliertes Verunreinigungsprofil für optoelektronische Anwendungen
Triethylgallium (TEGa)
Chemische Formel
- Ga(C₂H₅)₃
Reinheit
- 99,999 % (5N)
Anwendungen
- Dient als Galliumvorläufer für MOCVD und chemische Strahlepitaxie (CBE). Ermöglicht das Wachstum von optoelektronischen Materialien, Mid-IR-Bauelementen und Ga-haltigen III-V-Dünnschichten.
Funktionen
- Alternative zu TMGa mit niedrigerem Dampfdruck
- Ideal für ausgewählte Epitaxiebedingungen, die eine maßgeschneiderte Flüchtigkeit erfordern
- Hervorragende Filmgleichmäßigkeit
Trimethylindium (TMIn)
Chemische Formel
- In(CH₃)₃
Reinheit
- 99,999 % (5N)
Anwendungen
- Wird für das MOCVD-Wachstum von In-haltigen Schichten verwendet, darunter InN, InP, InGaN, InGaAs und Quantentopfstrukturen. Häufig in Lasern, Infrarotgeräten und Hochleistungs-LEDs zu finden.
Funktionen
- Konsistentes Dampfverhalten für präzise Zusammensetzungssteuerung
- Geeignet für In-reiche Epitaxie, die eine Reaktivität bei niedrigen Temperaturen erfordert
- Hohe Reinheit erfüllt Anforderungen an optoelektronische Bauelemente
Bis(methylcyclopentadienyl)magnesium (MeCp₂Mg)
Chemische Formel
- C₁₁H₁₆Mg
Reinheit
- 99,999 % (5N)
Anwendungen
- Ein weit verbreiteter p-Typ-Dotierungsmittelvorläufer für das Wachstum von GaN, AlGaN und verwandten III-V-Materialien in der LED- und Leistungselektronikfertigung.
Funktionen
- Stabile Leistung über einen breiten Temperaturbereich
- Gleichmäßige Dampfzufuhr für hochgradig gleichmäßige Dotierung
- Bevorzugte Magnesium-Dotierungsquelle für MOCVD
Magnesiumbis(cyclopentadienyl)
Chemische Formel
- Mg(C₅H₅)₂
Reinheit
- 99,999 % (5N)
Anwendungen
- Wird als Dotierungsmittel für LED-Leuchtstoffe sowie in der metallorganischen Synthese und der Entwicklung fortschrittlicher Halbleitermaterialien verwendet.
Funktionen
- Zuverlässige Dampfzufuhr
- Geeignet für spezielle Dotierungsanwendungen
Galliumtrichlorid (GaCl₃)
Reinheit
- 99,999 % (5N)
Anwendungen
- Dient als Galliumquelle für Halbleitermaterialien, metallorganische Synthesen und ausgewählte Solarzellenprozesse. Wird als Katalysator in organischen Reaktionen und als Vorläufer für bestimmte Verbindungen auf Galliumbasis verwendet.
Funktionen
- Hohe Reinheit für empfindliche chemische Prozesse
- Stabile, konsistente Reaktivität in Syntheseumgebungen