Elektronische Spezialgase
Unsere Produkte sind auf hohe Präzision und Stabilität ausgelegt und kommen in Anwendungen in der LED-Fertigung, Photovoltaik, Glasfasertechnik und Mikroelektronik zum Einsatz. Jede Charge wird unter strenger Qualitätskontrolle mit vollständiger Rückverfolgbarkeit hergestellt, um eine sichere und gleichbleibende Leistung für anspruchsvollste Umgebungen zu gewährleisten.
Hydride der Gruppen V und VI
Arsin (AsH₃)
- Grad: 99,9995 %
- CAS-Nummer: 7784-42-1
- Formelgewicht: 77,95
Anwendungen
- N-Typ-Dotierung, Diffusion und epitaktisches Wachstum von Verbindungshalbleitern wie Galliumarsenid (GaAs)
Funktionen
- Ultrahohe Reinheit und Stabilität
- Gleichmäßige Zersetzung und geringe Partikelbildung
- Geeignet für MOCVD- und VPE-Systeme
Phosphin (PH₃)
- Grad: 99,9997 %
- CAS-Nummer: 7803-51-2
- Formelgewicht: 33,99
Anwendungen
- Halbleitersubstrat und Epitaxieschichtwachstum, Dotierung und Ionenimplantation
Funktionen
- Hohe Reinheit und gleichbleibende Lieferqualität
- Hervorragende Kompatibilität mit Großserienfertigungssystemen
- Weit verbreitet beim Wachstum von InP, GaP und verwandten III-V-Materialien
Selenwasserstoff (H₂Se)
- Note: 99,998 %
- CAS-Nummer: 7783-07-5
- Formelgewicht: 80,98
Anwendungen
- Herstellung von II-VI-Halbleitern wie Zinkselenid (ZnSe) und Cadmiumselenid (CdSe)
Funktionen
- Geringer Verunreinigungsgehalt und hohe Durchflussregelungsgenauigkeit
- Unter kontrollierten Lagerbedingungen stabil
- Verwendung bei der Herstellung von Infrarotmaterialien
Germanium (GeH₄)
- Reinheitsgrad: 99,999 %
- CAS-Nummer: 7782-65-2
- Formelgewicht: 76,64
Anwendungen
- Epitaxiales Wachstum von Germanium- und SiGe-Schichten, Solarzellen und Glasfaseroptik
Funktionen
- Geringer Verunreinigungsgehalt und hohe Durchflussregelungsgenauigkeit
- Unter kontrollierten Lagerbedingungen stabil
- Verwendung bei der Herstellung von Infrarotmaterialien
Hydride der Gruppen III und IV
Diborane (B₂H₆)
- Reinheitsgrad: 99,999 %
- CAS-Nummer: 19287-45-7
- Formelgewicht: 27,67
Anwendungen
- P-Typ-Dotierung für Halbleiter, epitaktisches Wachstum und Ionenimplantation
Funktionen
- Hervorragende Kontrolle der Bordotierung
- Stabile Zersetzung für gleichbleibende Filmqualität
- Wird auch in der Spezialsynthese und Hochenergieforschung verwendet.
Silan (SiH₄)
- Reinheitsgrad: 99,999 %
- CAS-Nummer: 7803-62-5
- Formelgewicht: 32,12 Anwendungen
Anwendungen
- Abscheidung von polykristallinen, amorphen und epitaktischen Siliziumschichten in CVD-Prozessen
Funktionen
- Hohe Reaktivität und Reinheit für großflächige Dünnschichtanwendungen
- Wichtiges Ausgangsmaterial für die Solar- und Halbleiterindustrie
- Stabile und präzise Durchflusseigenschaften
Halogenide und Reinigungsgase
Stickstofftrifluorid (NF₃)
- Reinheitsgrad: 99,999 %
- CAS-Nummer: 7783-54-2
- Formelgewicht: 71,00
Anwendungen
- Reinigung von Kammern und Waferoberflächen in der Halbleiter-, Photovoltaik- und Displayherstellung
Funktionen
- Hocheffiziente Plasmareinigung
- Geringeres Treibhauspotenzial als Perfluorkohlenwasserstoffe
- Stabiler Gasfluss und minimale Rückstände
Bortrichlorid (BCl₃)
- Reinheitsgrad: 99,999 %
- CAS-Nummer: 10294-34-5
- Formelgewicht: 117,16
Anwendungen
- Ätzen, Reinigen und Dotieren in Halbleiterprozessen
Funktionen
- Zuverlässige Leistung für das Ätzen mit Plasma
- Wird auch als Katalysator und Reagenz in der organischen Synthese verwendet.
- Korrosionsbeständige Fördersysteme gewährleisten Sicherheit und Reinheit
Tetrachlorsilan (SiCl₄)
- Reinheitsgrad: 99,999 %
- CAS-Nummer: 10026-04-7
- Formelgewicht: 169,90
Anwendungen
- Vorläufer für die Herstellung von hochreinem Silizium, Quarzglas und Glasfaser-Vorformen
Funktionen
- Stabile Verdampfung und präzise Steuerung
- Hervorragende optische Reinheit
- Häufig verwendet in der Epitaxie-Silizium- und Faserproduktion
Qualität, Sicherheit und Umweltschutz
Vital Materials unterhält nach ISO 9001 und ISO 14001 zertifizierte Produktionsstätten, die eine außergewöhnliche Konsistenz und Zuverlässigkeit bei jeder Lieferung gewährleisten. Jede Charge wird strengen Verunreinigungstests unterzogen, einschließlich H₂O-, O₂-, CO-, CO₂- und CH₄-Analysen. Die Zylinder werden vakuumgespült, passiviert und unter strengen Sicherheitsprotokollen überprüft.
Unsere weltweiten Gasproduktionsanlagen integrieren fortschrittliche Reinigungs-, geschlossene Abfallbehandlungs- und Gasrückgewinnungssysteme, um Emissionen und Ressourcenverbrauch zu reduzieren. Alle Produkte werden mit einem Analysezertifikat (COA) und einem Sicherheitsdatenblatt (MSDS) geliefert, um eine lückenlose Rückverfolgbarkeit zu gewährleisten.
Anwendungen
- Verbindungshalbleiter (GaAs, InP, GaN, ZnSe, CdSe)
- LEDs und Laserdioden
- Solar-Photovoltaik und Dünnschichttechnologie
- Glasfaseroptik und Infrarotmaterialien
- Hochgeschwindigkeits-Mikroelektronik
Nachhaltigkeit und ESG-Verpflichtung
Wichtige Materialien
Vital Materials hat sich nachhaltigem Wachstum und verantwortungsbewusster Fertigung verschrieben. Durch kreislauffähige Ressourcenrückgewinnung, emissionsarme Produktion und Transparenz in der Lieferkette halten wir die höchsten Umwelt-, Sozial- und Governance-Standards (ESG) ein.
Unsere Initiativen umfassen:
- Recycling von Abgasen und Nebenprodukten
- Behandlung gefährlicher Abfälle und Rückgewinnung seltener und wertvoller Metalle
- Verantwortungsbewusste Beschaffung gemäß den OECD-Leitlinien
- Kontinuierliche Verbesserung der Energieeffizienz und Emissionsreduzierung
Warum lebenswichtige Materialien
- Vertikal integrierte Produktion und Reinigung
- Globale Fertigungspräsenz für Versorgungssicherheit
- Umfassende Sicherheits- und Qualitätszertifizierungen
- Technischer Support von der Materialauswahl bis zur Prozessoptimierung