Vorläufersubstanzen
Vorläufer sind Zwischenprodukte, die bei der Synthese oder Herstellung von Hochleistungswerkstoffen verwendet werden. Im Halbleiterfertigungsprozess dienen sie als wichtige Ausgangsmaterialien für die Bildung von Dünnschichten und funktionalen Beschichtungen bei Gasphasenabscheidungsverfahren wie CVD, ALD und PVD.
Vital Materials bietet ein breites Portfolio an hochreinen Vorläufern für die Dünnschichtabscheidung, das epitaktische Wachstum, das Ätzen, das Dotieren und die Reinigung. Unsere Produkte zeichnen sich durch hervorragende thermische Stabilität, kontrollierte Flüchtigkeit und eine gleichbleibende Schichtzusammensetzung aus und eignen sich für Anwendungen in Logik- und Speicherbauelementen, Leistungshalbleitern, LEDs und Photovoltaik.
Wichtige Produkte
Molybdändioxid-Dichlorid (MoO₂Cl₂)
Reinheit
- 99,999 % (5N)
Anwendungen
- Wird als wichtiger Vorläufer für Beschichtungen zur Abscheidung von dünnen Schichten auf Molybdänbasis in der Mikroelektronik und für optische Beschichtungen verwendet.
Funktionen
- Hervorragende Filmgleichmäßigkeit und Haftung
- Stabile Dampfzufuhr
- Geeignet für ALD- und CVD-Anwendungen
Hafniumtetrachlorid (HfCl₄)
Reinheit
- 99,9999 % (6N) und 99,999 % (5N) verfügbar
Anwendungen
- High-k-Dielektrikum-Filmvorläufer in ALD/CVD-Prozessen für fortschrittliche integrierte Schaltungen
- Rohmaterial für die Synthese von Organohafnium-Katalysatoren
Funktionen
- Kontrollierte Partikelgröße und geringe Feuchtigkeitsempfindlichkeit
- Ermöglicht die Bildung von HfO₂- und HfSiO-Dünnschichten mit hervorragenden dielektrischen Eigenschaften.
Bis(diethylamino)silan (BDEAS)
Chemische Formel
- SiH₂[N(C₂H₅)₂]₂
Reinheit
- 99,999 % (5N) und 99,9999 % (6N)
Anwendungen
- Vorläufer für die Abscheidung von Silizium-basierten Dünnschichten mittels ALD oder CVD
- Wird für das konforme Wachstum von SiNₓ- und SiO₂-Filmen in der Halbleiter- und Displayherstellung verwendet.
Funktionen
- Hervorragende thermische Stabilität und Reaktivität
- Reduzierte Kohlenstoffverschmutzung
Tetrakis(methylethylamino)hafnium (TEMAH)
Reinheit
- 99,999 % (5N)
Anwendungen
- ALD- und CVD-Vorläufer für Hafnium enthaltende dielektrische Schichten
- Katalysatorsynthese für organometallische Hafniumverbindungen
Funktionen
- Glatte Filmmorphologie und geringe Defektdichte
- Ideal für die Bildung von HfO₂-High-k-Schichten in Logik- und DRAM-Bauelementen
Tetrakis(methylethylamino)zirkonium (TEMAZ)
Reinheit
- 99,999 % (5N)
Anwendungen
- ALD- und CVD-Vorläufer für dünne Schichten auf Zirkoniumbasis
- Katalysatorvorläufer für Organozirkoniummaterialien
Funktionen
- Gleichmäßige Abscheidung und präzise Kontrolle der Schichtdicke
- Hohe Flüchtigkeit und minimale Rückstandsbildung
Tetraethylorthosilikat (TEOS)
Chemische Formel
- Si(OC₂H₅)₄
Reinheit
- 99,999 % (5N)
Anwendungen
- Weit verbreiteter Vorläufer für die Bildung von SiO₂-Filmen in CVD- und ALD-Verfahren
- Angewandt in der Passivierung von Halbleitern und der Abscheidung von Zwischenschichtdielektrika
Funktionen
- Stabiler Dampfdruck und kontrollierte Reaktivität
- Erzeugt dichte, hochwertige Oxidschichten
Molybdänpentachlorid (MoCl₅)
Reinheit
- 99,999 % (5N)
Anwendungen
- Verwendung als Chlorierungskatalysator und bei der Synthese von Molybdänhexacarbonyl und anderen metallorganischen Verbindungen
Funktionen
- Hohe chemische Aktivität
- Geeignet für die Herstellung von Katalysatoren und Dünnschichtvorläufern
Tetramethylsilan (4MS)
Chemische Formel
- Si(CH₃)₄ Reinheit: 99,999 % (5N)
Anwendungen
- ALD/CVD-Vorläufer für Silizium-Dünnschichten
- Wird als Reagenz in der analytischen Chemie und als Kalibrierstandard in der NMR-Spektroskopie verwendet.
Funktionen
- Hohe Flüchtigkeit und geringe Reaktivität bei Umgebungstemperatur
- Hervorragende Prozessverträglichkeit für die Bildung von Siliziumschichten
Mao-Hafnium-Vorläufer (Mao-Haf)
Typ
- Fortschrittlicher Organohafnium-Vorläufer (proprietäre Formel)
Anwendungen
- Entwickelt für die Abscheidung von High-k-Gate-Dielektrika und Metalloxidfilmen der nächsten Generation
- Optimiert für ALD-Prozesse in der Halbleiter- und Displayherstellung
Funktionen
- Hohe Volatilität mit präziser Lieferkontrolle
- Verbesserte Filmgleichmäßigkeit und Oberflächenglätte
- Stabil bei niedrigen Temperaturen mit verlängerter Haltbarkeit
Ethylzinkisopropoxid (EtZnOiPr)
Reinheit
- 99,999 % (5N)
Anwendungen
- Zinkquelle für CVD- und ALD-Prozesse in der Optoelektronik und Halbleiterfertigung
- Zwischenprodukt für die Organozink-Synthese
Funktionen
- Hochreaktives und dennoch kontrollierbares Dampfverhalten
- Erzeugt gleichmäßige ZnO-Schichten mit hervorragenden elektrischen Eigenschaften
Anwendungen
- ALD/CVD/PVD-Dünnschichtabscheidung
- Epitaxiales Schichtwachstum für Halbleiterwafer
- Dotierungs- und Ionenimplantationsprozesse
- Bildung einer dielektrischen Schicht aus Oxid und Nitrid
- Herstellung von Gate-Dielektrika mit hoher Dielektrizitätskonstante
- Fortschrittliche Display- und Photovoltaikbeschichtungen
Qualität & Sicherheit
Alle Vorprodukte von Vital Materials werden unter kontrollierten Umgebungsbedingungen synthetisiert und gereinigt, um eine extrem hohe Reinheit und stabile Dampfleistung zu gewährleisten. Jedes Produkt wird in mit Inertgas gefüllten Behältern mit Feuchtigkeits- und Sauerstoffüberwachung versandt.
Die Produktionsstätten sind nach ISO 9001 und ISO 14001 zertifiziert, wodurch vollständige Rückverfolgbarkeit, gleichbleibende Qualität und Umweltverantwortung gewährleistet sind. Jeder Lieferung liegen ein Analysezertifikat (COA) und ein Sicherheitsdatenblatt (MSDS) bei.
Verpflichtung zur Nachhaltigkeit
Wichtige Materialien
Vital Materials legt großen Wert auf eine verantwortungsbewusste Produktion und Handhabung aller Ausgangsstoffe. Durch fortschrittliche Reinigungssysteme, Abgasrückgewinnung und Rückgewinnung von Nebenprodukten gewährleisten wir Umweltschutz und eine kreislauffähige Ressourcennutzung.
Unsere weltweiten Aktivitäten folgen den ESG-Grundsätzen, wobei Sicherheit, Nachhaltigkeit und Transparenz in der gesamten Halbleiter-Lieferkette im Vordergrund stehen.
