Vital Materials plant, 2 Milliarden RMB (etwa 300 Millionen US-Dollar) in eine neue Produktionsanlage für Indiumphosphid (InP)- und Galliumarsenid (GaAs)-Wafer in Quzhou, Zhejiang, China, zu investieren.

Die von Vital Micro-Electronics Technologies (Zhejiang) Co., Ltd. betriebene Anlage soll eine jährliche Produktionskapazität von 6 Millionen Wafer in den Größen 4 bis 6 Zoll erreichen. Der Baubeginn ist für August 2026 vorgesehen, und die Bauzeit wird voraussichtlich etwa drei Jahre betragen.

Das Projekt spiegelt die anhaltenden Investitionen in die Herstellung von Verbindungshalbleitern wider, um der wachsenden Nachfrage nach optischer Kommunikation, KI-bezogenen Anwendungen und Hochgeschwindigkeits-Datenübertragung gerecht zu werden.